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        黑砷磷晶體/黑磷-砷合金

        簡要描述：黑砷磷/晶體黑磷-砷合金 BP-As alloy (Black Phosphorus-Arsenic Alloy)
        晶體尺寸：~mm
        電學性能：半導體
        晶體結構：斜方晶系
        晶胞參數：晶胞參數取決于合金中的成分。p/As比值為1
        a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90&#176;
        晶體類型：合成
        晶體純度：&gt;99.995%

        • 更新時間：2024-06-03
        • 產品型號：
        • 廠商性質：生產廠家
        • 訪  問  量：1852

        詳細介紹

        黑砷磷/晶體黑磷-砷合金 BP-As alloy (Black Phosphorus-Arsenic Alloy)
        晶體尺寸：~mm
        電學性能：半導體
        晶體結構：斜方晶系
        晶胞參數：晶胞參數取決于合金中的成分。p/As比值為1
        a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90°
        晶體類型：合成
        晶體純度：>99.995%


        Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal P-As. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


        Stoichiometric analysis of a single crystal P-As by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


        Raman spectrum of a single crystal P-As. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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