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        碲化砷 As2Te3

        簡要描述：晶體尺寸：10毫米
        電學性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電材料
        晶體結構：單斜晶結構
        晶胞參數：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90&#176;，β= 95.40
        晶體類型：合成
        晶體純度：＞99.995%
        表征方法：XRD、拉曼、EDX

        • 更新時間：2024-06-03
        • 產品型號：
        • 廠商性質：生產廠家
        • 訪  問  量：1132

        詳細介紹

        晶體尺寸：10毫米
        電學性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電材料
        晶體結構：單斜晶結構
        晶胞參數：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40
        晶體類型：合成
        晶體純度：＞99.995%
        表征方法：XRD、拉曼、EDX


        Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal As2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


        Stoichiometric analysis of a single crystal As2Te3 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


        Raman spectrum of a single crystal As2Te3. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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