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        硒化銦晶體（99.995） In2Se3

        簡要描述：硒化銦晶體 In2Se3(Indium Selenide)
        晶體尺寸：8-10毫米
        電學性能：半導體
        晶體結構：六邊形
        晶胞參數：a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90&#176;, γ = 120&#176;
        晶體類型：合成
        晶體純度：＞99.995%

        • 更新時間：2024-06-03
        • 產品型號：
        • 廠商性質：生產廠家
        • 訪  問  量：1738

        詳細介紹

        硒化銦晶體 In2Se3(Indium Selenide)
        晶體尺寸：8-10毫米
        電學性能：半導體
        晶體結構：六邊形
        晶胞參數：a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120°
        晶體類型：合成
        晶體純度：＞99.995%


        X-ray diffraction on a 2H-In2Se3 (Indium Selenide) single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 8 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18


        Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal In2Se3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


        Stoichiometric analysis of a single crystal In2Se3 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


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