<noframes id="d3j3l"><form id="d3j3l"><th id="d3j3l"></th></form>
    <noframes id="d3j3l"><form id="d3j3l"><th id="d3j3l"></th></form>

      <noframes id="d3j3l">
        <address id="d3j3l"><nobr id="d3j3l"><th id="d3j3l"></th></nobr></address>

        咨詢熱線

        13651969369

        當前位置：首頁   >  產品中心  >  二維材料  >  異質結  >  CVD石墨烯CVD六方氮化硼異質結

        CVD石墨烯CVD六方氮化硼異質結

        簡要描述：CVD石墨烯CVD六方氮化硼異質結
        石墨烯/h-BN薄膜的性質：
        單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上
        尺寸：1cmx1cm; 4片裝
        每個薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制
        該產品的覆蓋率約為98％
        薄膜是連續的，有小孔和有機殘留物
        高結晶質量
        石墨烯薄膜預先單層（超過95％），偶爾有少量多層（雙層小于5％）
        薄層電阻：430-800Ω/平方

        • 更新時間：2024-06-03
        • 產品型號：
        • 廠商性質：生產廠家
        • 訪  問  量：1215

        詳細介紹

        基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯CVD六方氮化硼異質結

        石墨烯/h-BN薄膜的性質：
        單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上

        尺寸：1cmx1cm; 4片裝
        每個薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制
        該產品的覆蓋率約為98％
        薄膜是連續的，有小孔和有機殘留物
        高結晶質量
        石墨烯薄膜預先單層（超過95％），偶爾有少量多層（雙層小于5％）
        薄層電阻：430-800Ω/平方

        石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通過CVD方法在銅箔上生長，然后轉移到SiO2/Si晶片上。

        硅/二氧化硅晶圓的特性：
        氧化層厚度：285nm
        顏色：紫羅蘭色
        晶圓厚度：525微米
        電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米
        型號/摻雜劑：P /硼
        方向：<100>
        前表面：拋光
        背面：蝕刻


         

        產品咨詢

        留言框

        • 產品：

        • 您的單位：

        • 您的姓名：

        • 聯系電話：

        • 常用郵箱：

        • 省份：

        • 詳細地址：

        • 補充說明：

        • 驗證碼：

          請輸入計算結果（填寫阿拉伯數字），如：三加四=7

        泰州巨納新能源有限公司
        • 聯系人：陳谷一
        • 地址：江蘇省泰州市鳳凰西路168號
        • 郵箱：taizhou@sunano.com.cn
        • 電話：021-56830191
        聯系我們

        掃一掃以下二維碼了解更多信息

        銷售微信咨詢

        網站二維碼

        版權所有©2025泰州巨納新能源有限公司All Rights Reserved    備案號：蘇ICP備17000059號-2    sitemap.xml    總訪問量：77276
        管理登陸    技術支持：化工儀器網    
        亚洲综合在线视频