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        硫化鍺晶體

        簡要描述：硫化鍺晶體 GeS(Germanium Sulfide)
        晶體尺寸：~10毫米
        電學性能：半導體
        晶體結構：斜方晶系
        晶胞參數：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90&#176;
        晶體類型：合成
        晶體純度：＞99.995%

        • 更新時間：2024-06-02
        • 產品型號：
        • 廠商性質：生產廠家
        • 訪  問  量：1536

        詳細介紹

        硫化鍺晶體 GeS(Germanium Sulfide)
        晶體尺寸：~10毫米
        電學性能：半導體
        晶體結構：斜方晶系
        晶胞參數：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90°
        晶體類型：合成
        晶體純度：＞99.995%


        X-ray diffraction on a single crystal GeS aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (h00) with h = 2, 4, 6, 8


        Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GeS. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


        Stoichiometric analysis of a single crystal GeS by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


        Raman spectrum of a single crystal GeS. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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